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INFINEON AIGB50N65H5ATMA1 TRANSISTOR, IGBT, 650V, 80A, TO-263


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3582436
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     AIGB50N65H5ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Gamma di prodotti TRENCHSTOP 5 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.65 V Corrente di collettore continua 80 A Numero di pin 3 Pin Dissipazione di potenza 305 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT)
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Semiconduttori, Singoli, INFINEON, AIGB50N65H5ATMA1, 3582436, 358-2436
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