INFINEON IMBG120R030M1HXTMA1 MOSFET SIC, SINGOLO, CANALE N, 1.2KV 56A

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.03 ohm Gamma di prodotti CoolSiC Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 56 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 300 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)