Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3586082 N. Art. Produtt.: SQJ912DEP-T1_GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Corrente di drain continua (Id) canale P 30 A Gamma di prodotti TrenchFET Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continua (Id) canale N 30 A Resistenza RdsON canale N 0.0059 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0059 ohm Dissipazione di potenza canale N 27 W Dissipazione di potenza canale P 27 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, VISHAY, SQJ912DEP-T1_GE3, 3586082, 358-6082 |
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