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ONSEMI NCV8412ASTT3G MOSFET, CAN N, 44V, 3.9A, 150°C, 2.2W


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N. Articolo:
     8585-3588857
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NCV8412ASTT3G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Resistenza Drain-Source in conduzione 0.145 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 3.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-223 Tensione Drain Source Vds 44 V Dissipazione di potenza 2.2 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Tensione di test di Rds(on) 10 V
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NCV8412ASTT3G, 3588857, 358-8857
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