Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3589326 N. Art. Produtt.:
DMN3028LQ-7 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.016 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 6.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 860 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, DIODES INC., DMN3028LQ-7, 3589326, 358-9326 |
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