Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N. Articolo: 8585-3589327 N. Art. Produtt.: DMN3032LFDBWQ-13 EAN/GTIN: n.d. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 5.5 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 5.5 A Resistenza RdsON canale N 0.024 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.024 ohm Dissipazione di potenza canale N 820 mW Dissipazione di potenza canale P 820 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor U-DFN2020 Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, DIODES INC., DMN3032LFDBWQ-13, 3589327, 358-9327 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |