Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3598631 N. Art. Produtt.: G3R75MT12J EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.075 ohm Gamma di prodotti G3R Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Corrente Continua di Drain Id 42 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 224 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.69 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Dec-2015) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, GENESIC SEMICONDUCTOR, G3R75MT12J, 3598631, 359-8631 |
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