GENESIC SEMICONDUCTOR G3R75MT12J MOSFET, CAN N, 1.2KV, 42A, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.075 ohm Gamma di prodotti G3R Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Corrente Continua di Drain Id 42 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 224 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.69 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Dec-2015)