Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3598634 N. Art. Produtt.:
G2R120MT33J EAN/GTIN:
n.d. |
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| Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Corrente Continua di Drain Id 35 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 3.3 kV Dissipazione di potenza 402 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Dec-2015) Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.12 ohm Gamma di prodotti G2R Numero di pin 7 Pin |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, GENESIC SEMICONDUCTOR, G2R120MT33J, 3598634, 359-8634 |
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