ROHM R6530ENZ4C13 MOSFET, CAN N, 650V 30A, TO-247G

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.125 ohm Gamma di prodotti R6xxxENx Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 30 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247G Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 305 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)