Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3605910 N. Art. Produtt.:
SIA938DJT-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 4.5 A Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Series Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 4.5 A Resistenza RdsON canale N 0.017 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.017 ohm Dissipazione di potenza canale N 7.8 W Dissipazione di potenza canale P 7.8 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SC-70 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, VISHAY, SIA938DJT-T1-GE3, 3605910, 360-5910 |
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| | Stato magazzino | Quantità min. | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | 3000 | | Franco domicilio | a partire da € 0,139* | € 0,163* | | | | | | | | 3000 | | € 7,90* | a partire da € 0,26* | € 0,30* | | | | Magazzino 8585 | | | | 1 | | € 14,99* | a partire da € 0,172* | € 0,633* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | a partire da 2500000 pezzi | | | |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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