Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-3605913 N. Art. Produtt.:
SIZ256DT-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione drain-source (Vds) canale N 70 V Corrente di drain continua (Id) canale P 31.8 A Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Series Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 70 V Corrente di drain continua (Id) canale N 31.8 A Resistenza RdsON canale N 0.0137 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0137 ohm Dissipazione di potenza canale N 33 W Dissipazione di potenza canale P 33 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAIR Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, VISHAY, SIZ256DT-T1-GE3, 3605913, 360-5913 |
| | |
| | | Offerte (3) | | |
| | Stato magazzino | Quantità min. | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | 3000 | | Franco domicilio | a partire da € 0,437* | € 0,487* | | | | | | | | 3000 | | € 7,90* | a partire da € 0,65* | € 0,72* | | | | Magazzino 8585 | | | | 1 | | € 14,99* | a partire da € 0,435* | € 1,56* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | a partire da 2500000 pezzi | | | |
|
| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
|
| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
|
| | | | | | | |
|