ONSEMI NVHL060N090SC1 SILICON CARBIDE MOSFET

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.043 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET - Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 46 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 900 V Dissipazione di potenza 221 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)