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INFINEON F3L200R07W2S5FB11BOMA1 MODULO IGBT, PACCO DA 4, 650V, 100A


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3625428
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     F3L200R07W2S5FB11BOMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti EasyPACK TRENCHSTOP Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 100 A Terminazione IGBT montaggio a pressione Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.17 V Dissipazione di potenza - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Tecnologia Transistore IGBT Trench Stop 5 / Diodo Schottky CoolSiC Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT Four Pack
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, INFINEON, F3L200R07W2S5FB11BOMA1, 3625428, 362-5428
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