Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3625431 N. Art. Produtt.: FS05MR12A6MA1BBPSA1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) - Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0055 ohm Gamma di prodotti HybridPACK CoolSiC Numero di pin - Configurazione modulo MOSFET SixPack Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 200 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza - Tensione di soglia Gate-Source massima - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, INFINEON, FS05MR12A6MA1BBPSA1, 3625431, 362-5431 |
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