Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-3625431 N. Art. Produtt.:
FS05MR12A6MA1BBPSA1 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) - Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0055 ohm Gamma di prodotti HybridPACK CoolSiC Numero di pin - Configurazione modulo MOSFET SixPack Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 200 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza - Tensione di soglia Gate-Source massima - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, INFINEON, FS05MR12A6MA1BBPSA1, 3625431, 362-5431 |
| | |
| |