INFINEON IPB65R090CFD7ATMA1 MOSFET, CANALE N, 650V, 25A, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.068 ohm Gamma di prodotti CoolMOS CFD7 SJ Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 25 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 127 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)