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ONSEMI NCV57090ADWR2G GATE DRIVER, IGBT/MOSFET, -40TO125°C


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N. Articolo:
     8585-3677691
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NCV57090ADWR2G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Modulo IGBT
Moduli IGBT
MOSFET
Corrente di Source (Sorgente) 6.5 A Tipo di Interruttore di Potenza IGBT, MOSFET Gamma di prodotti - Tipo di Ingresso Invertente, non invertente Tensione di alimentazione max 20 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Corrente di Sink (Pozzo) 6.5 A Configurazione Driver Isolato Package/case del circuito integrato WSOIC Numero di canali 1 Canali Temperatura di esercizio max 125 °C Tipo di Gate Driver isolato Montaggio CI montaggio superficiale Ritardo in Uscita 60 ns Ritardo Ingresso 60 ns Temperatura di esercizio min -40 °C Qualificazioni AEC-Q100 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Tensione di alimentazione min 3.1 V
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, Driver CI, Drivers CI, transistor igbt, Circuiti, driver, Gate, gestione, integrati, PMIC, potenza, Semiconduttori, ONSEMI, NCV57090ADWR2G, 3677691, 367-7691
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