Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3677693 N. Art. Produtt.: NCV57090BDWR2G EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Corrente di Source (Sorgente) 6.5 A Tipo di Interruttore di Potenza IGBT, MOSFET Gamma di prodotti - Tipo di Ingresso Invertente, non invertente Tensione di alimentazione max 20 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Corrente di Sink (Pozzo) 6.5 A Configurazione Driver Isolato Package/case del circuito integrato WSOIC Numero di canali 1 Canali Temperatura di esercizio max 125 °C Tipo di Gate Driver isolato Montaggio CI montaggio superficiale Ritardo in Uscita 60 ns Ritardo Ingresso 60 ns Temperatura di esercizio min -40 °C Qualificazioni AEC-Q100 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Tensione di alimentazione min 3.1 V |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, Driver CI, Drivers CI, transistor igbt, Circuiti, driver, Gate, gestione, integrati, PMIC, potenza, Semiconduttori, ONSEMI, NCV57090BDWR2G, 3677693, 367-7693 |
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