Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3677735 N. Art. Produtt.: NTMT190N65S3HF EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Resistenza Drain-Source in conduzione 0.159 ohm Tensione di test di Rds(on) 10 V Gamma di prodotti SUPERFET III FRFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 20 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PQFN Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 162 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTMT190N65S3HF, 3677735, 367-7735 |
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