Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-3680097 N. Art. Produtt.: STW68N65DM6-4AG EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.033 ohm Gamma di prodotti MDmesh DM6 Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 72 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 480 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, STMICROELECTRONICS, STW68N65DM6-4AG, 3680097, 368-0097 |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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