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ROHM RX3G18BGNC16 MOSFET, CANALE N, 40V, 180A, TO-220AB


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N. Articolo:
     8585-3702537
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RX3G18BGNC16
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.00117 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 180 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220AB Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 125 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, RX3G18BGNC16, 3702537, 370-2537
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