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VISHAY SQJB46EP-T1_GE3 MOSFET, N-CH, 40V, 30A, POWERPAK SO
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3702699
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SQJB46EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Corrente di drain continua (Id) canale P 30 A Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Series Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continua (Id) canale N 30 A Resistenza RdsON canale N 0.0061 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0061 ohm Dissipazione di potenza canale N 34 W Dissipazione di potenza canale P 34 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Doppi
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
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(FET)
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Discreti
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Doppi
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Effetto
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Semiconduttori
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VISHAY
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SQJB46EP-T1_GE3
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3702699
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370-2699
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