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INFINEON IPD036N04LGATMA1 MOSFET, CANALE N, 40V, 90A, TO-252
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3703584
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IPD036N04LGATMA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.003 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 3 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 90 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 94 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
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(FET)
,
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Discreti
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Semiconduttori
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Singoli
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Transistori
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INFINEON
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IPD036N04LGATMA1
,
3703584
,
370-3584
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