Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3729614 N. Art. Produtt.: SQS660CENW-T1_GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0091 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212-8W Corrente Continua di Drain Id 18 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 62.5 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SQS660CENW-T1_GE3, 3729614, 372-9614 |
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