Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3757549 N. Art. Produtt.:
SCT2280KEGC11 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.28 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-247N Corrente Continua di Drain Id 14 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 108 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), ROHM, SCT2280KEGC11, 3757549, 375-7549 |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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