Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3764236 N. Art. Produtt.:
SCTWA90N65G2V-4 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.018 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor HiP247 Corrente Continua di Drain Id 119 A Temperatura di esercizio max 200 °C Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 565 W Tensione di soglia Gate-Source massima 3.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), STMICROELECTRONICS, SCTWA90N65G2V-4, 3764236, 376-4236 |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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