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ONSEMI NXH006P120MNF2PTG MOSFET SIC CANALE N, 1.2KV, 304A, MODULO


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N. Articolo:
     8585-3766231
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NXH006P120MNF2PTG
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.00548 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 36 Pin Configurazione modulo MOSFET mezzo ponte Tipo di canale canale N Tensione di soglia Gate-Source massima 2.83 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Corrente Continua di Drain Id 304 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor Module Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 950 W
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ONSEMI, NXH006P120MNF2PTG, 3766231, 376-6231
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