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VISHAY IRFB9N65APBF MOSFET, CANALE N, 650V, 8.5A, TO-220


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N. Articolo:
     8585-3772673
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRFB9N65APBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.93 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-220 Corrente Continua di Drain Id 8.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 167 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, IRFB9N65APBF, 3772673, 377-2673
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