VISHAY SI1070X-T1-GE3 MOSFET, CANALE N, 30V, 1.2A, SC-89

Tensione di test di Rds(on) 12 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.082 ohm Gamma di prodotti Trench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 1.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SC-89 Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 236 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.55 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised