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VISHAY SI1411DH-T1-GE3 MOSFET, CANALE P, 150V, 0.42A, SOT-363


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N. Articolo:
     8585-3772738
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI1411DH-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 2.05 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 420 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-363 Tensione Drain Source Vds 150 V Dissipazione di potenza 1 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SI1411DH-T1-GE3, 3772738, 377-2738
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