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Articolo
VISHAY SI6415DQ-T1-E3 MOSFET, CANALE P, 30V, 6.5A, TSSOP
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3772768
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SI6415DQ-T1-E3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.03 ohm Gamma di prodotti Trench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 6.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSSOP Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 1.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
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(FET)
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Discreti
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Effetto
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VISHAY
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SI6415DQ-T1-E3
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3772768
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377-2768
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