VISHAY SI6968BEDQ-T1-GE3 MOSFET, DUAL, CAN N, 20V, 5.2A, TSSOP

Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 5.2 A Gamma di prodotti Trench Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 5.2 A Resistenza RdsON canale N 0.165 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.165 ohm Dissipazione di potenza canale N 1 W Dissipazione di potenza canale P 1 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSSOP Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised