Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-3772776 N. Art. Produtt.:
SI7220DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.4 A Gamma di prodotti TrenchFET Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 3.4 A Resistenza RdsON canale N 0.048 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.048 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.3 W Dissipazione di potenza canale P 1.3 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, VISHAY, SI7220DN-T1-GE3, 3772776, 377-2776 |
| | |
| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | |  In magazzino |
| a partire da € 3,81* | | | | Il prezzo è valido a partire da 7.500 pacchetti | | | | | | 1 pacchetto contiene 5 pezzi (a partire da € 0,762* per pezzo) | | | | | Scegli condizioni | | | | | | | | Prezzi progressivi | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | a partire da 10 pacchetti | | | | a partire da 20 pacchetti | | | | a partire da 50 pacchetti | | | | a partire da 100 pacchetti | | | | a partire da 300 pacchetti | | | | a partire da 7500 pacchetti | | | |
|
| | |
|
|