Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3772789 N. Art. Produtt.: SI7956DP-T1-GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione drain-source (Vds) canale N 150 V Corrente di drain continua (Id) canale P 2.6 A Gamma di prodotti Trench Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 150 V Corrente di drain continua (Id) canale N 2.6 A Resistenza RdsON canale N 0.088 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.088 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.4 W Dissipazione di potenza canale P 1.4 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, VISHAY, SI7956DP-T1-GE3, 3772789, 377-2789 |
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