VISHAY SI8425DB-T1-E1 MOSFET, CANALE P, 20V, 9.3A, MICRO FOOT

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.018 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Stile di Case del Transistor MICRO FOOT Corrente Continua di Drain Id 9.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 900 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 2.7 W