Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3772793 N. Art. Produtt.: SI8425DB-T1-E1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.018 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Stile di Case del Transistor MICRO FOOT Corrente Continua di Drain Id 9.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 900 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 2.7 W |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SI8425DB-T1-E1, 3772793, 377-2793 |
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