VISHAY SI8472DB-T2-E1 MOSFET, CANALE N, 20V, 4.5A, MICRO FOOT

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.036 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor MICRO FOOT Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.8 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 900 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised