Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3772795 N. Art. Produtt.: SI8472DB-T2-E1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.036 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor MICRO FOOT Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.8 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 900 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SI8472DB-T2-E1, 3772795, 377-2795 |
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