VISHAY SIR836DP-T1-GE3 MOSFET, CANALE N, 40V, 21A POWERPAK SO

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.015 ohm Gamma di prodotti Trench Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Corrente Continua di Drain Id 21 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 15.6 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised