VISHAY SIS990DN-T1-GE3 DUAL MOSFET, CAN N, 100V, POWERPAK 1212

Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 12.1 A Gamma di prodotti TrenchFET Series Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 12.1 A Resistenza RdsON canale N 0.071 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.071 ohm Dissipazione di potenza canale N 25 W Dissipazione di potenza canale P 25 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised