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INFINEON FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza


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N. Articolo:
     8585-3773235
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FS03MR12A6MA1LBBPSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.00275 ohm Gamma di prodotti HybridPACK CoolSiC Numero di pin 32 Pin Configurazione modulo MOSFET SixPack Tipo di canale sei canali N Corrente Continua di Drain Id 400 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor modulo Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, INFINEON, FS03MR12A6MA1LBBPSA1, 3773235, 377-3235
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