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INFINEON IPTC012N08NM5ATMA1 MOSFET, CANALE N, 80V, 396A, HDSOP


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N. Articolo:
     8585-3779664
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPTC012N08NM5ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.001 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 5 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 16 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 396 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor HDSOP Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 375 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPTC012N08NM5ATMA1, 3779664, 377-9664
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