Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-3794549 N. Art. Produtt.: ISC0805NLSATMA1 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0072 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 5 Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 71 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TDSON Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 74 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, ISC0805NLSATMA1, 3794549, 379-4549 |
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