DIODES INC. DMN2014LHAB-13 TRASISTOR MOSFET DUALE, 20V, U-DFN2030-6

Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 9.3 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 9.3 A Resistenza RdsON canale N 0.01 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.01 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.7 W Dissipazione di potenza canale P 1.7 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor U-DFN2030 Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)