Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3828447 N. Art. Produtt.:
DMTH10H1M7STLW-13 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0014 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 250 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerDI 1012 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 214 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, DIODES INC., DMTH10H1M7STLW-13, 3828447, 382-8447 |
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