ONSEMI NTH4L022N120M3S MOSFET, CANALE N, 1,2KV, 68A, TO-247

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.022 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 68 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 352 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.72 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)