Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3873721 N. Art. Produtt.: IPB330P10NMATMA1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0268 ohm Gamma di prodotti OptiMOS Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 62 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 300 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPB330P10NMATMA1, 3873721, 387-3721 |
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