Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3879171 N. Art. Produtt.:
SCTW60N120G2 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.035 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 60 A Temperatura di esercizio max 200 °C Stile di Case del Transistor HiP247 Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 389 W Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), STMICROELECTRONICS, SCTW60N120G2, 3879171, 387-9171 |
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