Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3929236 N. Art. Produtt.:
SQM40N10-30_GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.023 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Corrente Continua di Drain Id 40 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 107 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SQM40N10-30_GE3, 3929236, 392-9236 |
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