Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3929237 N. Art. Produtt.: SQD100N04-3M6_GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.003 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-252AA Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 136 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SQD100N04-3M6_GE3, 3929237, 392-9237 |
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