VISHAY SQ4282EY-T1_GE3 MOSFET, CAN N DOPPIO, 30V, 8A, SOIC

Resistenza RdsON canale N 0.01 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.01 ohm Dissipazione di potenza canale N 3.9 W Dissipazione di potenza canale P 3.9 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 8 A Gamma di prodotti serie TrenchFET Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 8 A