Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N. Articolo: 8585-3929246 N. Art. Produtt.: SQ4282EY-T1_GE3 EAN/GTIN: n.d. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Resistenza RdsON canale N 0.01 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.01 ohm Dissipazione di potenza canale N 3.9 W Dissipazione di potenza canale P 3.9 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 8 A Gamma di prodotti serie TrenchFET Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 8 A |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, VISHAY, SQ4282EY-T1_GE3, 3929246, 392-9246 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |