Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3931199 N. Art. Produtt.:
ISC010N06NM5ATMA1 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 870 µohm Gamma di prodotti serie OptiMOS 5 Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 330 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TSON Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 214 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, ISC010N06NM5ATMA1, 3931199, 393-1199 |
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