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ROHM BSS138BWAHZGT106 MOSFET, CAN N, 60V, 0.38A, 150°C, 0.3W
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pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3934695
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
BSS138BWAHZGT106
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.49 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 380 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-323 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 300 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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